厂价优惠供应PMNT压电单晶体
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典型产品参数:
压电用PMNT单晶
电光用PMNT单晶
热释电用PMNT单晶
伸缩压电模式:
d33:
1500~2500pC/N
no:
2.620(632.8nm)
热释电系数:
12.8×10-4C/m2K
长度谐振N33:
约660 kHz×mm
Ne:
2.601(632.8nm)
介电常数:
500 (1kHz)
厚度谐振Nt:
约1800 kHz×mm
电光系数r33:
70 pm/V
介电损耗:
<0.5% (1kHz)
k33:
90~94%
r13:
25 pm/V
体积比热c ':
2.5×106J/m3K
kt:
58~62%
rc:
44.4 pm/V
热扩散系数:
3.8×10-7m2/s
ε33T
5000~7000(1kHz)
吸收边:
400 nm
电流响应优值:
5.12×10-10Am/W
tanδ
<0.7%(1kHz)
透过率:
70%
电压响应优值:
0.11 m2/C
横向长度伸缩压电模式:
反射损耗:
20%
探测优值:
10.2×10-5Pa-1/2
-d31:
1800~2500 pC/N
工作温度上限:
160 oC
工作温度上限:
90 oC
谐振N31:
约520 kHz×mm
k31:
92~95%
PMNT单晶密度:
8.1 g/cm3 (室温)
厚度切变压电模式:
PMNT单晶尺寸:
晶片:一维最大50mm,二维可达40×40mm
d15:
5000~7000 pC/N
晶块:一维最大40mm,三维可达30×30×30mm
谐振N15:
约1200 kHz×mm
注:特殊形状、切型和尺寸根据客户要求进行定制。
k15:
94~97%
场致应变:
线性应变:
0.37%(2kV/mm)
最大应变:
1.8% (7kV/mm)
工作温度上限:
85 oC
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