电子级正硅酸四乙酯/ TEOS
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名称 |
正硅酸四乙酯(TEOS) |
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化学式 |
C8H20O4Si |
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相对分子量 |
208.33 |
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CAS号 |
78-10-4 |
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理化性质 |
无色透明液体，熔点－77℃，沸点168.5℃，密度0.9346g/ml。在空气中较稳定；微溶于水，在纯水中水解缓慢；在酸或碱的存在下能加速水解作用。 |
主要用途
主要用于晶圆制造过程中的化学气相沉积（CVD）制程，用于生成二氧化硅和氮化硅薄膜。是半导体、分立器件、微机电系统（MEMS）制造所需的电子化学品。
CVD/ALD (Chemical Vapr DePOSTTTION /Atomic Layer Depostion )化学气相沉积材料
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Dielectrics PMD/IMD |
TEOS ,TEPO,TMPO,TEB,TMB |
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Low K Dielectrics |
4MS ,OMCATS |
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High K Dielectrics |
TAETO (Ta2O5 Precursor ) TEMAZ (ALD ZrO2 Precursor) TMA (Al2O3 Precursor) |
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Metal Gate and Interconnect Metal |
TDMAT (TiN Precursor ) TiCl4 ( Ti /TiN Precursor ) |
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Low-Temp Nitride/Oxide |
HCDS |
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Diffusion |
POCl3 |
供应半导体化学气相沉积材料，专业研发及制造各种先进CVD/ALD (Chemical Vapr DePOSTTTION /Atomic Layer Depostion )化学气相沉积材料，TDMAT / InCl3/TEOS/TMB/TEB Precursor，TDMAT/TiCl4/TMA/TEASAT/InI/InF3/InCl3/High-K/Low-K Material，TEOS,TMB,TEB,TMPO,TEPO,TDMAT,TiCl4等。
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