电子级硼酸甲酯 (TMB)
一、分子式: B(OCH3)3
二、分子量:103.92
三、理化性质
无色液体，无明显气味，性质稳定。熔点-29℃，密度0.915g/ml，沸点67～68℃。易燃，
与氧化剂能发生强烈反应。水解生成甲醇和硼酸，能与有机溶剂混溶。
四、用途
主要用于晶圆制造过程中化学气相沉积（CVD）生成硼磷硅酸玻璃（BPSG）。是半导体、
分立器件、微机电系统（MEMS）制造所需的重要电子化学品。
CVD/ALD (Chemical Vapr DePOSTTTION /Atomic Layer Depostion )化学气相沉积材料
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Dielectrics PMD/IMD |
TEOS ,TEPO,TMPO,TEB,TMB |
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Low K Dielectrics |
4MS ,OMCATS |
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High K Dielectrics |
TAETO (Ta2O5 Precursor ) TEMAZ (ALD ZrO2 Precursor) TMA (Al2O3 Precursor) |
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Metal Gate and Interconnect Metal |
TDMAT (TiN Precursor ) TiCl4 ( Ti /TiN Precursor ) |
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Low-Temp Nitride/Oxide |
HCDS |
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Diffusion |
POCl3 |
供应半导体化学气相沉积材料，专业研发及制造各种先进CVD/ALD (Chemical Vapr DePOSTTTION /Atomic Layer Depostion )化学气相沉积材料，TDMAT / InCl3/TEOS/TMB/TEB Precursor，TDMAT/TiCl4/TMA/TEASAT/InI/InF3/InCl3/High-K/Low-K Material，TEOS,TMB,TEB,TMPO,TEPO,TDMAT,TiCl4等。
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