1510-500kg
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目录
第一节、美国特迪亚称重传感器其它型号种类 1
第二节、1510-500kg美国特迪亚称重传感器输入阻抗 1
第三节、1510-500kg美国特迪亚称重传感器价格 1
第五节、美国特迪亚称重传感器综合误差 2
第六节、1510-500kg美国特迪亚称重传感器激励电压 2
第七节、1510-500kg美国特迪亚称重传感器灵敏度 2
第一节、美国特迪亚称重传感器其它型号种类
120-5T 1242-50Kg 120-30T 1242-100Kg 120-50T 1242-150Kg
240-5Kg 1242-200Kg 240-7Kg 1242-250Kg 240-10Kg 1250-50Kg
240-15Kg 1250-75Kg 355-30Kg 1250-100Kg 355-50Kg 1250-150Kg
355-100Kg 1250-200Kg 355-200Kg 1250-250Kg 355-250Kg 1250-300Kg
355-500Kg 1250-500Kg 1510-500kg 1260-50Kg 614-100Kg 1260-75Kg
614-150Kg 1260-100Kg 614-200Kg 1260-150Kg 614-300Kg 1260-250Kg
614-500Kg 1260-300Kg 615-50Kg 1260-500Kg 615-100Kg 1263-50Kg
615-150Kg 1263-100Kg 615-200Kg 1263-150Kg 615-300Kg 1263-200Kg
615-500Kg 1263-250Kg 615-750Kg 1263-300Kg 615-1000Kg 1263-500Kg
616-50Kg 3410-250Kg 616-100Kg 3410-500Kg 616-150Kg 3410-1000Kg
616-200Kg 3410-2000Kg 616-300Kg 3420-2000lb 616-500Kg 3420-2500lb
616-750Kg 3420-5000lb 616-1000Kg 3420-7500lb 616-1T 3510-300Kg
619-1500Kg 3510-500Kg 619-2000Kg 3510-750Kg 619-3000Kg 1510-500kg
619-5000Kg 3510-2000Kg 619-6000Kg 1510-500kg 619-1.5T 1022-3Kg
第二节、1510-500kg美国特迪亚称重传感器工作原理22157650
电感线圈产生的磁力线经过金属导体时,金属导体就会产生感应电流,且呈闭合回路,类似于水涡流形状,故称之为电涡流也叫做电涡流效应,其实是电磁感应原理的延伸。电涡流传感器要求被测体必须是导体。传感器探头里有小型线圈,由控制器控制产生震荡电磁场,当接近被测体时,被测体表面会产生感应电流,而产生反向的电磁场。这时电涡流传感器根据反向电磁场的强度来判断与被测体之间的距离。
第三节、1510-500kg美国特迪亚称重传感器价格
传感器种类多样,价格也相对不统一,具体的参考价格有,500元,800元,1000元,5000元,8000元,10000元,14000元不等,具体要看传感器品牌与型号及行业动态来决定。
第四节、1510-500kg美国特迪亚称重传感器外观图
第五节、美国特迪亚称重传感器精度要求
为了防止电涡流产生的磁场影响仪器的正常输出安装时传感器头部四周必须留有一定范围的非导电介质空间,如果在某一部位要同时安装两个以上的传感器,就必须考虑是否会产生交叉干扰,两个探头之间一定要保持规定的距离,被测体表面积应为探头直径倍以上,当无法满足倍的要求时,可以适当减小,但这是以牺牲灵敏度为代价的,一般是探头直径等于被测体表面积时,灵敏度降低至,所以当灵敏度要求不高时可适当缩小测量表面积。
第六节、1510-500kg美国特迪亚称重传感器应用
压力传感器是工业实践、仪器仪表控制中最为常用的一种传感器,并广泛应用于各种工业自控环境,涉及水利水电、铁路交通、生产自控、航空航天、军工、石化、油井、电力、船舶、机床、管道等众多行业。力学传感器的种类繁多,如电阻应变片压力传感器、半导体应变片压力传感器、压阻式压力传感器、电感式压力传感器、电容式压力传感器、谐振式压力传感器及电容式加速度传感器等。但应用最为广泛的是压阻式压力传感器,它具有极低的价格和较高的精度以及较好的线性特性。
第七节、1510-500kg美国特迪亚称重传感器调试方法
压阻式压力传感器是利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。压阻式传感器常用于压力、拉力、压力差和可以转变为力的变化的其他物理量的测量和控制。当力作用于硅晶体时,晶体的晶格产生变形,使载流子从一个能谷向另一个能谷散射,引起载流子的迁移率发生变化,扰动了载流子纵向和横向的平均量,从而使硅的电阻率发生变化。这种变化随晶体的取向不同而异,因此硅的压阻效应与晶体的取向有关。硅的压阻效应不同于金属应变计,前者电阻随压力的变化主要取决于电阻率的变化,后者电阻的变化则主要取决于几何尺寸的变化,而且前者的灵敏度比后者大倍。
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