STP75NF75
本系列功率MOSFET实现与意法半导体独特STripFET?过程特别设计来减少输入电容和门。因此适合作为先进高效的主开关,高频隔离直流-直流转换器为电信和计算机应用。它也用于任何应用程序与低门驱动需求。
表1。绝对最大额定参数
符号参数
价值
单位
D2PAK / - 220 - 220《外交政策》
VDS漏源极电压75 V(vg = 0)
VDGR Drain-gate电压75 V(RGS = 20 k?)
vg Gate-source电压±20 V
ID(1)
1。目前受限于包
漏极电流(连续)TC = 25°C 80 80
ID
(1)漏极电流(连续)TC 70 70 = 100°C
IDM(2)
2。脉冲宽度限制安全操作区域
漏极电流(脉冲)320 320
PTOT总耗散在TC 300 45 W = 25°C
降额因子2.0 - 0.3 W /°C
dv / dt(3)
3。ISD≤80,di / dt≤300 /µs VDD≤V(BR)DSS,Tj
≤TJMAX
恢复二极管峰值电压斜坡12 V / ns
东亚峰会(4)
4。开始TJ = 25摄氏度,ID = 40,VDD = 37.5 v
700年乔丹单脉冲雪崩能量
Viso
绝缘耐压(RMS)
三个导致外部散热器(t = 1;TC = 25°C)——2000 V
TJ
测试
操作结温
存储温度-55 - 175°C
表2。热数据
符号参数
价值
单位
D2PAK / - 220 - 220《外交政策》
RthJC热阻junction-case马克斯0.5 - 3.33°C / W
RthJA热阻junction-ambient马克斯62.5°C / W
TL
最大的铅焊接温度
目的(1)
1。1.6毫米的情况下10秒)
300°C
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