溅射靶材
北京石久高研金属材料有限公司成立于2005年， 石久高研致力于镀膜靶材和蒸发料的研发和生产工作，公司主营金属靶材、金属材料、光学镀膜材料等。
合金靶材：镍铬合金靶、镍钒合金靶、铝硅合金靶、镍铜合金靶、钛铝合金、镍钒合金靶、硼铁合金靶、硅铁合金靶等高纯度合金溅射靶材。
陶瓷靶材：ITO靶、AZO靶、氧化镁靶、氧化铁靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化钛靶、氧化铬靶、氧化锌靶、硫化锌靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化铈靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、二氧化锆靶，、二氧化铪靶，二硼化钛靶，二硼化锆靶，三氧化钨靶，三氧化二铝靶五氧化二钽，五氧化二铌靶、氟化镁靶、氟化钇靶、硒化锌靶、氮化铝靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化钛靶，碳化硅靶，铌酸锂靶、钛酸镨靶、钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶等陶瓷溅射靶材。
石久高研专注15年提供高纯金属靶材 高品质、高纯靶材欢迎来电咨询~~~
溅射靶材
北京石久高研金属材料有限公司成立于2005年， 石久高研致力于镀膜靶材和蒸发料的研发和生产工作，为电子行业、玻璃工业、数据存储、装饰镀膜、工具镀膜等行业的镀膜企业提供高品质的靶材和蒸发料。公司主营金属靶材、金属材料、光学镀膜材料等。
靶材要求：
纯度 陶瓷靶材的纯度对溅射薄膜的性能影响很大，陶瓷靶材的纯度越高，溅射薄膜的均匀性和批量产品质量的一致性越好。近年来随着微电子产业的迅速发展，硅器件布线宽度已发展到0．13μm，对成膜面积的薄膜均匀性要十分严格，其纯度必须大于4N。此外显示平面用的ITO靶材对纯度也要求十分严格，要求ITO的纯度都大于4N。磁性薄膜用陶瓷靶材的纯度也要不低于3N。靶材作为溅射中的阴极源，固体中的杂质是沉积薄膜的主要污染源，如：碱金属离子(Na+、K+)易在绝缘层(SiO)中成为可移动性离子，降低元器件性能，其含量须在0．01ppm(重量)以下。
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溅射靶材使用指南及注意事项
北京石久高研金属材料有限公司成立于2005年， 石久高研致力于镀膜靶材和蒸发料的研发和生产工作，为电子行业、玻璃工业、数据存储、装饰镀膜、工具镀膜等行业的镀膜企业提供高品质的靶材和蒸发料。公司主营金属靶材、金属材料、光学镀膜材料等。
溅射靶材保持真空腔体尤其是溅射系统洁净是非常重要的。任何由润滑油和灰尘以及前期镀膜所形成的残留物会收集水气及其他污染物，直接影响真空度获得和增加成膜失败的可能性。短路或靶材起弧，成膜表面粗糙及化学杂质含量超标经常是由于不洁净的溅射室、溅射枪和靶材引起的。
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