cvd真空管式炉的详细资料
cvd真空管式炉的详细资料:
这款cvd真空管式炉,多通道气路系统和真空系统组成,可根据用户需要设计生产(有双温区、三温区、多温区),可预抽真空(有高真空、低真空),通多种气氛(供气系统有质子流量器和浮子流量控制器)。性能可靠。控制电路选用模糊PID程控技术,具有控温精度高,温冲幅度小,性能可靠,简单易操作等特点。CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
cvd真空管式炉参数
高真空管式炉
炉管尺寸外径Φ60×1000mm,Φ80×1000mm,Φ100×1000mm
极限温度1700℃
工作温度800-1600℃
温度控制器PID自动控制晶闸管(可控硅)输出功率,50段可编程控制器
最快升降温速率1400℃以下≤10℃/min,1400℃到1600℃≤5℃/min
加热区360mm
恒温区150mm
温度精度±1℃
电源单相220V,交流50Hz
更多:cvd真空管式炉 http://www.haoyueyq.cn/haoyueyq-SonList-1345791/
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