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BMG1-1600/3JH 1600A隔离开关 双流第二中学询价 MOSFET 在400V 输出的 3.3 千瓦图腾柱 PFC上进行了功率损耗的比较 使用 1200V的碳化硅 MOSFET,功耗降低了 52% 然而,1200V 碳化硅器件的功耗仍被低估,因为应该与 650V 碳化硅器件进行公平的比较 与 1200V 等效器件相比,650V 碳化硅器件具有更低的电阻和更低的传导损耗
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BMG1-1600/3JH 1600A隔离开关 双流第二中学询价在任何情况下,碳化硅 MOSFET 都可以实现更高的效率 纯电动汽车中的高压到低压 DC-DC 转换器通常可转换高达 3 千瓦的功率,并且需要高效率 高压电池和低压系统之间必须隔离 由于其高效率,隔离式谐振转换器是一个很好的应用 DC-DC 转换器大部分时间都在部分负载下工作
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