回收高通芯片回收MTK芯片
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- 发布日期:2021/7/28 13:29:12
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详细说明
回收高通芯片回收MTK芯片在一些非挥发性存储器如相变存储器(phase-change memory;pcm)、磁阻存储器( resistive memory;m-ram)、电阻存储器(resistive memory;rram)等技术已蓄势待发、即将迈向商业量产门槛之际,ddr4将可能是末代的ddr存储器,届时电脑与软体结构将会出现 为剧烈的变动。
nand flash逼近制程物理以提升容量密度
以浮闸式(floating gate)半导体电路所设计的nand flash非挥发性存储器,随着flash制程技术不断进化、单位容量成本不断下降的情况下,已经在智慧手机、嵌入式装置与工控应用上大量普及。
micron自家市场统计预测指出,从2012到2016年总体nand flash容量应用的年复合成长率可达51 。2013年,美光(micron)与sk hynix两家晶圆厂,先后发表16nm制程的nand flash存储器技术,而东芝(toshiba)则在2014年直接跨入15nm制程,并推出相关nand flash存储器芯片产品。
nand flash传输速率,从2010年onfi 2.0的133mb/s,emmc v4.41的104mb/s;到2011年onfi v2.2/toggle 1.0规格,传输速率提升到200mb/s,emmc v4.5拉高到200mb/s,ufs 1.0传输速率为2.9gbps;2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s,ufs v2.0传输速率倍增为5.8gbps;预估到2015年,onfi v4.x/toggle v2.xx规格定义的传输速率增到800mb/s、1.6gb/s。
随着nand flash制程进步与线路宽度与间距的微缩,连带影响到抹写次数(p/e cycles)的缩减。slc存储器从3x 制程的100,000次p/e cycles、4个ecc bit到2x 制程降为60,000 p/e、ecc 24bit。mlc从早期5x 制程10,000 p/e、ecc 8bit,到2x/2y 制程时已降为3,000 p/e、24~40个ecc bit。
有厂商提出,eslc、islc的存储器解决方案,以运用既有的低成本的mlc存储器,在单一细胞电路单元使用slc读写技术(只储存单一位元的电荷值),抹写度提升到30,000次p/e,成本虽比mlc高,但性价比远于slc,可应用在ipc/kiosk/pos系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。
将来迈入20 制程时,会导入3d立体堆叠加矽钻孔(3d stacks+tsv)封装技术,以及针对绘图芯片、移动设备提出低脚位数的wide i/o,来提升dram存储器单位容量与频宽。
英特尔将分别把ddr4规格导入伺服器/工作站平台,以及桌上型电脑平台(high-end desktop;hedt)。前者是伺服器处理器xeon e5-2600处理器(代号haswell-ep),搭配的ddr4存储器为2,133mbps(ddr4-2133);后者则是预定 三季推出的8intel core i7 extreme edition处理器,同样搭配ddr4-2133存储器,以及支援14组usb 3.0、10组sata6gbps的x99芯片组,成为2014 4季至2015年上半年英特尔的桌上型电脑平台组合。
而超微(amd)下一代apu(代号carrizo)已至2015年登场,但其存储器支援性仍停留在ddr3。至于移动设备部份,安谋(arm)针对伺服器市场打造的64位元cortex-a57处理器,已预留对ddr4存储器支援,而 三方ip供应商也提供了相关的ddr4 phy ip。
三星于2013年底量产20 制程的4gb存储器颗粒,将32gb的存储器推向伺服器市场;2014年1月推出移动设备用的低功耗ddr4(lp-ddr4)。sk海力士在2014年4月借助矽钻孔(tsv)技术,开发出单一ddr4芯片外观、容量达128gb。市场预料ddr4将与ddr3(ddr3l、lp-ddr3)等共存一段时间,预计到2016年才会ddr3而成为市场主流。
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