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1206 3.2*1.6 47UF(476M)20% 16V 

  • 价 格: 面议 /
  • 供 应 地:
  • 发布公司:深圳市宸远电子科技有限公司
  • 产品型号:1206 3.2*1.6 47UF(476M)20% 16V
  • 品 牌:CCT
  • 发布日期:2017/9/21 16:04:50
  • 联系人QQ:3583963338 点击这里给我发消息

详细说明

产品说明Explain

公司简介Content


宸远科技(CCT)

 LOGO-标准

是专业高压贴片电容产销公司,公司成立于1999年12月,工厂位于高雄前镇加工出口区,公司总部设在台湾,大陆深圳,上海设分公司。公司拥有完整、科学的质量管理体系。公司的诚信、实力和产品质量获得业界的认可。欢迎各界朋友莅临有限公司参观、指导和业务洽谈。目前本公司以自有(CCT)品牌行銷全世界.产品主要应用于移动终端、家电、网络通信、医疗电子、安防系统、汽车电子、LED照明等领域 。许先生——免费送样,价格面议;询价电话:15217057671  QQ:3583963338   阿里巴巴:宸远电子cct   手动链接:shop77h66j0j22947.1688.com

 

 

 

             

 

公司现货,大容量贴片电容

 

英制:0603 0805 1206 1210 1808 1812 2220 2225 1UF-220UF

 

公制:1608 2012 3216 3225 4520 4532 5750 5763 1UF-220UF

 

高压贴片电容

 

英制:0603-0805-1206-1210-1812-2220  6.3V-10KV

 

公制:1608-2012-3216-3225-4532-5750  6.3V-10KV

 

安规贴片电容

 

英制:1206-1210-1808-1812-2220 X1/Y2/X2/Y3  NPO X7R

 

公制:3216-3225-4520-4532-5750 X1/Y2/X2/Y3  NPO X7R

 

 

尺寸系列

 

标准系列化的外形尺寸

 

最常用英寸单位系统来表示:

 

0603—"06"表示:长0.06inch=1.6mm,

 

"03"表示:宽0.03inch=0.8mm

 

也有用国际单位系统表示:

 

1608—"16"表示:长1.6mm

 

"08"表示:宽0.8mm

 

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高压贴片电容的特性

低容量电容NP0材料(10-6800pF):适用频率1-100MHz

1.温度系数:0±30ppm/℃,-55℃~125℃;

2.电容量漂移:不超过±0.3%或±0.05pF(取较大者)。

  1. 1.  3.老化特性:无

高容量电容X7R材料(6800pF以上):适用频率不超过10KHz

1.温度特性:不超过±15%,-55℃~125℃。

2.老化特性:每10年变化1%ΔC,表现为10年变化约5%。

工作温度为环境温度与元件本体温升之和。

贴片电容的分类

一 NPO电容器

 

二 X7R电容器

 

三 Z5U电容器

 

四 Y5V电容器

 

           区别:NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。

 

NPO电容器

      NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

      NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

封装 DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

1210 560---5600pF 560---2700pF

2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。

X7R电容器

              X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到 125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

              X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。

               X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。

 

封装 DC=50V DC=100V

0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF

1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF

1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF

2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF

Z5U电容器

            Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。

            尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。

 

 

封装 DC=25V DC=50V

0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF

1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF

1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF

2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF

Z5U电容器的其他技术指标如下:

工作温度范围10℃ --- 85℃

温度特性 22% ---- -56%

介质损耗最大 4%

 

Y5V电容器

Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达 22%到-82%。

Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。

 

Y5V电容器的取值范围如下表所示

封装 DC=25V DC=50V

0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF

1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF

1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF

2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF

Y5V电容器的其他技术指标如下:

工作温度范围 -30℃ --- 85℃

温度特性 22% ---- -82%

介质损耗最大 5%

贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。不同的公司命名方法可能略有不同。

 

陶瓷电容器制作流程

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MLCC 详细制作工艺流程

1、原材料——陶瓷粉配料关键的部分(原材料决定MLCC的性能);

2、球磨——通过球磨机(大约经过2-3天时间球磨将瓷份配料颗粒直径达到微米级);

3、配料——各种配料按照一定比例混合;

4、和浆——加添加剂将混合材料和成糊状;

5、流沿——将糊状浆体均匀涂在薄膜上(薄膜为特种材料,保证表面平整);

6、印刷电极——将电极材料以一定规则印刷到流沿后的糊状浆体上(电极层的错位在这个工艺上保证,不同MLCC的尺寸由该工艺保证);

7、叠层——将印刷好电极的流沿浆体块依照容值的不同叠加起来,形成电容坯体版(具体尺寸的电容值是由不同的层数确定的);

8、层压——使多层的坯体版能够结合紧密;

9、切割——将坯体版切割成单体的坯体;

10、排胶——将粘合原材料的粘合剂用390摄氏度的高温将其排除;

11、焙烧——用1300摄氏度的高温将陶瓷粉烧结成陶瓷材料形成陶瓷颗粒(该过程持续几天时间,如果在焙烧的过程中温度控制不好就容易产生电容的脆裂);

12、倒角——将长方体的棱角磨掉,并且将电极露出来,形成倒角陶瓷颗粒;

13、封端——将露出电极的倒角陶瓷颗粒竖立起来用铜或者银材料将断头封起来形成铜(或银)电极,并且链接粘合好电极版形成封端陶瓷颗粒(该工艺决定电容的);

14、烧端——将封端陶瓷颗粒放到高温炉里面将铜端(或银端)电极烧结使其与电极版接触缜密;形成陶瓷电容初体;

15、镀镍——将陶瓷电容初体电极端(铜端或银端)电镀上一层薄薄的镍层,镍层一定要完全覆盖电极端铜或银,形成陶瓷电容次体(该镍层主要是屏蔽电极铜或银与最外层的锡发生相互渗透,导致电容老衰);

16、镀锡——在镀好镍后的陶瓷电容次体上镀上一层锡想成陶瓷电容成体(锡是易焊接材料,镀锡工艺决定电容的可焊性);

17、测试——该流程必测的四个指标:耐电压、电容量、DF值损耗、漏电流Ir和绝缘电阻Ri(该工艺区分电容的耐电压值,电容的精确度等)

 

陶瓷电容器内部结构

 

           

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          片式多层陶瓷电容器 (Multi-layer Ceramic Capacitor 简称MLCC)是电子整机中主要的被动贴片元件之一,它诞生于上世纪60年代,最先由美国公司研制成功,主要表现为生产出MLCC具有高可靠、高精度、高集成、高频率、智能化、低功耗、大容量、小型化和低成本等特点。

 

 

电容的主要特性参数:
(1)容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般分为3级:I级±5%,II级±10%,III级±20%。在有些情况下,还有0级,误差为±20%。
精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等级。
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示:D——005级——±0.5%;F——01级——±1%;G——02级——±2%;J——I级——±5%;K——II级——±10%;M——III级——±20%。
(2)额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流电压,又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大。
(3)温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1℃,电容量的相对变化值。温度系数越小越好。
(4)绝缘电阻:用来表明漏电大小的。一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小。
(5)损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。
(6)频率特性:电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外,在高频工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等,都会影响电容器的性能。所有这些,使得电容器的使用频率受到限制。
不同品种的电容器,最高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ。

 

 

        (CCT)宸远科技20年专注高压贴片电容,品质可靠、价格实惠、大量库存,欢迎洽谈,可定做特殊规格!期待合作!!

      公司代理:日本(TDK)、日本(太诱)、日本(村田)、台湾(HEC)、台湾(华科)等产品,大量库存,免费送样,现货供应,品质保证。

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已下为承认书中常见规格,详情请查看【2017年宸远陶瓷贴片电容承认书】
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