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高压贴片电容专家

介质耐电压：100V-1000V范围内，可承受1.5倍额定电压。1000V以上：可承受1.2倍额定电压。
电压越高，所能做出的容量越低，生产周期4－6周

高压贴片电容特性：
1.等效串联电阻（ESR）小，阻抗（Z）低，与同等钽电容或者铝电解电容相比，ESR小几十倍，能量利用率高，发热小，价格低。
2.品种，规格齐全，体积小。容量从10pF到47uF，耐压从10V-6000V，体积最小可以达到1X0.5mm.
3.无极性，可以使用在存在非常高的纹波电路或交流电路，而且装配更为方便。
4.性能稳定，即使被击穿也不会燃烧，安全性高。
应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。

低容量电容NP0材料（10-6800pF）：适用频率1-100MHz
1.温度系数：0±30ppm／℃，-55℃～125℃；
2.电容量漂移：不超过±0.3％或±0.05pF（取较大者）。
3.老化特性：无

高容量电容X7R材料（6800pF以上）：适用频率不超过10KHz
1.温度特性：不超过±15％，-55℃～125℃。
2.老化特性：每10年变化1％ΔC，表现为10年变化约5％。

工作温度为环境温度与元件本体温升之和。
降额设计
设计者在选用电容器工作电压时，应考虑施加在电容器两端的直流电压与交流电压峰值之和不能超过额定电压。为保证产品及线路的可靠性，在实际设计时建议降额使用

使用注意事项
工作温度
电容器设计类别温度范围有?55℃～125℃、?55℃～85℃两种，设计者必须确保工作温度符合此范围。为延长电容器的使用寿命，推荐工作温度限制在低于上限类别温度10℃～15℃。设计者考虑电容器的
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2012 16V 226K X5R
2012 25V 226K X5R
2012 16V 476M X5R
2012 25V 476M X5R
2012 16V 685K X5R
2012 25V 685K X5R
2012 50V 685K X5R

3216 16V 226K X5R
3216 25V 226K X5R
3216 16V 476M X5R
3216 25V 476M X5R
3216 16V 685K X5R
3216 25V 685K X5R
3216 50V 685K X5R
3216 35V 685K X5R
3216 10V 107M X5R

3225 16V 226K X5R
3225 25V 226K X5R
3225 35V 226K X5R
3225 16V 476M X5R
3225 25V 476M X5R
3225 35V 476M X5R
3225 16V 685K X5R
3225 25V 685K X5R
3225 50V 685K X5R
3225 35V 685K X5R
3225 16V 107M X5R
3225 10V 107M X5R

4532 16V 226K X5R
4532 25V 226K X5R
4532 35V 226K X5R
4532 50V 226K X5R
4532 16V 476M X5R
4532 25V 476M X5R
4532 35V 476M X5R
4532 50V 476M X5R
4532 50V 685K X5R
4532 16V 107M X5R
4532 10V 107M X5R

5750 16V 226K X5R
5750 25V 226K X5R
5750 35V 226K X5R
5750 50V 226K X5R
5750 63V 226K X5R
5750 16V 476M X5R
5750 25V 476M X5R
5750 35V 476M X5R
5750 50V 476M X5R
5750 50V 685K X5R
5750 16V 107M X5R
5750 10V 107M X5R

2012 16V 226K X5R

2012 25V 226K X5R

2012 16V 476M X5R

2012 25V 476M X5R

2012 16V 685K X5R