国内厂商供应氮化镓GaN晶体基片
氮化镓（GaN、Gallium nitride）是氮和镓的化合物，是一种直接能隙*的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器*的条件下，产生紫光（405 nm）激光。
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CAS号 |
25617-97-4 |
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化学式 |
GaN |
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摩尔质量 |
83.73 g/mol g·mol?1 |
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外观 |
黄色粉末 |
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密度 |
6.15 g/cm3 |
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熔点 |
>2500°C[1] |
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溶解性（水） |
会和水反应 |
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能隙 |
3.4 eV (300 K, direct) eV |
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电子迁移率 |
440 cm2/(V·s) (300 K) |
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热导率 |
2.3 W/(cm·K) (300 K) [2] |
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折光度n |
2.429 |
898995850
