红外热成像显微镜技术参数_optotherm红外显微镜成像系统-立特为智能电话：15219504346 （温先生）

关键词：  Optotherm IS640 SENTRIS，Thermal Emission Microscope system

1. 它的应用非常广泛，去封装的芯片分析，未去封装的芯片分析，电容，FPC,甚至小尺寸的电路板分析（PCB、PCBA）,这也就让你可以在对样品的不同阶段都可以使用thermal技术进行分析，如下图示例，样品电路板漏电定位到某QFN封装器件漏电，将该器件拆下后现漏电改善，对该器件焊引线出来，未开封定位为某引脚，开封后扎针上电再做分析，进一步确认为晶圆某引线位置漏电导致，如有需要可接着做SEM,FIB等分析。

未开封器件分析

开封器件分析

2. 它能侦测的半导体缺陷也非常广泛，微安级漏电，低阻抗短路，ES击伤，闩锁效应点，金属层底部短路等等，而电容的漏电和短路点定位，FPC,PCB,PCBA的漏电，微短路等也能够精确定位

lock-in锁相分析

开封芯片漏电分析

GAN-SIC器件

3，它是无损分析：作为日常的失效分析，往往样品量稀少，这就要求失效分析技术最好是无损的，而对于某些例如陶瓷电容和FPC的缺陷，虽然电测能测出存在缺陷，但是对具体缺陷位置，市场上的无损分析如XRAY或超声波，却很难进行定位，只能通过对样品进行破坏性切片分析，且只能随机挑选位置，而通过Thermal 技术，你需要的只是给样品上电，就可以对上述两种缺陷进行定位

FPC缺陷分析

电容缺陷分析

4,锁相热成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：利用锁相技术，将温度分辨率提高到0.001℃，5um分辨率镜头，可以侦测uA级漏电流和微短路缺陷，远由于传统热成像及液晶热点侦测法（0.1℃分辨率，mA级漏电流热点）

5，系统能够测量芯片等微观器件的温度分布，提供了一种快速探测热点和热梯度的有效手段，热分布不仅能显示出缺陷的位置，在半导体领域

在集成电路操作期间，内部结自加热导致接合处的热量集中。器件中的峰值温度处于接合处本身，并且热从接合部向外传导到封装中。因此，器件操作期间的精确结温测量是热表征的组成部分。

芯片附着缺陷可能是由于诸如不充分或污染的芯片附着材料，分层或空隙等原因引起的。Sentris热分析工具（如 图像序列分析）可用于样品由内到外的热量传递过程，以便确定管芯接合的完整性。

OPTOTHERM Sentris 热射显微镜系统作为一台专业为缺陷定位的系统，专为电子产品FA设计，通过特别的LOCK-IN技术，使用LWIR镜头，仍能将将温度分辨率提升到0.001℃（1mK），同时光学分辨率最高达到5um,尤其其软件系统经过多年的，具有非常易用和实用，以下是OPTOTHERM Sentris 热射显微镜系统分析过程的说明视频

LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited ‘and ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)作为Optotherm公司中国代表（独家代理），在深圳设立optotherm红外热分析应用实验室，负责该设备的演示和销售，如有相关应用，可提供免费测试。

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红外热成像仪的构成

红外热像仪的构成包5大部分：

1、红外镜头: 接收和汇聚被测物体射的红外辐射；

2、红外探测器组件: 将热辐射型号变成电信号；

3、电子组件: 对电信号进行处理；

4、显示组件: 将电信号转变成可见光图像；

5、软件: 处理采集到的温度数据，转换成温度读数和图像。

红外热成像仪的分类

红外热像仪按照工作温度分为制冷型和非制冷性
制冷式热成像仪：其探测器中集成了一个低温制冷器，这种装置可以给探测器降温度，这样是为了使热噪声的信号低于成像信号，成像质量更好。
非制冷式热成像仪：其探测器不需要低温制冷，采用的探测器通常是以微测辐射热计为基础，主要有多晶硅和氧化钒两种探测器。

红外热像仪按照功能分为测温型和非测温型
测温型红外热像仪：测温型红外热像仪，可以直接从热图像上读出物体表面任意点的温度数值，这种系统可以作为无损检测仪器，但是有效距离比较短。
非测温型红外热像仪：非测温型红外热像仪只能观察到物体表面热辐射的差异，这种系统可以作为观测工具，有效距离比较长。

红外热成像仪的特点

与一般检测设备相比，红外热成像仪具有以下鲜明特点：

1、热成像仪可以对运动物体进行测温，而普通测温仪表很难做到这一点；

2、可以借助显微镜头对几微米甚至更小的目标进行测温；

3、可以快速地对设备进行热诊断；

4、不会对所测量的温度场产生干扰；

5、测温范围大，根据型号的不同，一般可测量0℃—2000℃的范围；

6、灵敏度高，根据型号不同，可分辨0.1℃甚至更小的温差；

7、使用安全，由于测量的非接触性，使得热成像仪使用起来非常安全。

红外热成像仪的展历程

1800年，英国天文学家F.W.赫歇耳现了红外线。

上世纪70年代，热成像系统和电荷耦合器件被成功应用。

上世纪末，以焦平面阵列（FPA）为代表的红外器件被成功应用。
红外技术的核心是红外探测器，红外探测器按其特点可分为四代：

第一代（1970s－80s）：主要是以单元、多元器件进行光机串/并扫描成像；

第二代（1990s－2000s）：是以4x288为代表的扫描型焦平面；

第三代：凝视型焦平面；

第四代：目前正在展的以大面阵、高分辨率、多波段、智能灵巧型为主要特点的系统芯片，具有高性能数字信号处理功能，甚至具备单片多波段探测与识别能力。

目前非制冷焦平面探测器的主流技术为热敏电阻式微辐射热计，根据使用的热敏电阻材料的不同可以分为氧化钒探测器和非晶硅探测器两种。

非制冷焦平面阵列探测器的展，其性能可以满足部分的軍|事用途和几乎所有的民用领域，真正实现了小型化、低价格和高可靠性，成为红外探测成像领域中极具前途和市场潜力的展方向。